Día 07/04/2015 - 13.40h
Investigadores del CSIC han
participado en la fabricación de una capa adicional de sensores de silicio que
mejorará la capacidad de identificar partículas fruto de las colisiones
El supercolisionador de
partículas (LHC) del CERN ha vuelto a ponerse en marcha
este mes con renovada participación española. En esta ocasión, el
detector ATLAS cuenta con una nueva pieza de alta tecnología fabricada
con la colaboración de investigadores del Consejo
Superior de Investigaciones Científicas (CSIC).
El nuevo equipo, llamado IBL
(Insertable b-layer), es una capa adicional de sensores de silicio que se
ha unido al detector de tipo pixel, según explica el investigador del CSIC
Giulio Pellegrini, delCentro
Nacional de Microelectrónica de Barcelona (IMB-CNM). «Se ha instalado en el
centro del detector ATLAS, en la zona más cercana al punto de choque
entre las partículas», ha explicado.
El detector de píxel se
compone de cuatro barriles cilíndricos, insertados uno en el otro, y está hecho
de pequeños diodos de silicio (llamados píxeles por su tamaño) que son capaces
de detectar las partículas que pasen a través de ellos», explica Lozano. «Por
ello pueden ser utilizados como excelentes trazadores de la trayectoria de las
partículas». Estos dispositivos están montados sobre una rejilla y
conectados a circuitos integrados que leen la señal generada en el detector.
Para la nueva capa IBL se
han fabricado píxeles más pequeños y más resistentes a las radiaciones que los
anteriores, por lo que pueden operar en el corazón de la zona pixel, una zona
altamente radiactiva. «Se espera que esta capa adicional mejore el
rendimiento de trazado del experimento ATLAS, así como su capacidad de
identificar familias concretas de partículas producto de las colisiones»,
señala el investigador.
El Centro Nacional de
Microelectrónica, de Barcelona, en colaboración con el Institut
de Fisica d’Altes Energies, ha fabricado una cuarta parte de todos los
detectores 3D tipo píxeles de silicio montados en el IBL, mediante la
aplicación de tecnologías de semiconductores de última generación desarrolladas
en su sala blanca. El trabajo ha sido desarrollado en el marco del proyecto
nacional FPA2010-22060-C02. Físicos e ingenieros del IMB-CNM han participado
también en las fases de prueba y puesta en marcha del nuevo equipo
experimental.
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